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HMDS真空鍍膜機/真空烘箱

產(chǎn)品簡介

HMDS真空鍍膜機/真空烘箱,在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。

產(chǎn)品型號:
更新時間:2023-07-04
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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產(chǎn)地類別國產(chǎn)應用領域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,食品,化工,生物產(chǎn)業(yè)

HMDS真空鍍膜機/真空烘箱產(chǎn)品介紹:
在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。
產(chǎn)品特點:
1、機外殼采用不銹鋼SUS304材質(zhì)制造,內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成;加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周,內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、防彈雙層玻璃門觀察工作室內(nèi)物體一目了然。
2、箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內(nèi)高真空度。
3、微電腦智能控溫儀,具有設定,測定溫度雙數(shù)字顯示和PID自整定功能,控溫精確,可靠。
4、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序,溫度,真空度及每一程序時間。
5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,真空箱密封,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6、整個系統(tǒng)采用材料制造,無發(fā)塵材料,適用100級光刻間凈化環(huán)境。
HMDS真空鍍膜機/真空烘箱產(chǎn)品參數(shù):

型號

HMDS-20

HMDS-90

HMDS-210

容積

20L

90L

210L

電源電壓

AC220V±10%/50Hz±2%

AC380V±10%/50Hz±2%

輸入功率

1500W

3000W

4000W

控溫范圍

室溫+10℃-250℃

溫度分辨率

0.1℃

溫度波動度

±0.5℃

達到真空度

133Pa

工作室尺寸(mm)

300*300*275

450*450*450

560*640*600

外形尺寸(mm)

465*465*725

850*700*1400

720*820*1050

載物托架

1塊

2快

3塊

時間單位

分鐘

選配件
真空泵:德國品牌,萊寶“DC”雙極系列旋片式油泵,真空高,噪音低,運行穩(wěn)定。
連接管:不銹鋼波紋管,*密封將真空泵與烘箱連接。

HMDS預處理的必要性:
在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯(lián)劑的作用。

真空鍍膜機的原理:
HMDS預處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。

真空鍍膜機的一般工作流程:
先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內(nèi)真空度達到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,再次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數(shù)后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應機理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進一步反應。

尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集管道時需做專門處理。

圖片:

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